- 李改莲;胡春霞;金听祥;
真空冷却过程是复杂的相变传热传质过程。在真空冷却期间,当真空室内的真空压力低于或者等于熟肉温度对应的饱和压力时,熟肉内部的水分将会沸腾蒸发以产生冷却效应。在能量和质量守恒的基础上,经过适当的简化,建立了真空冷却过程中水分迁移的数学模型。此模型能够预测真空冷却过程中熟肉内部的温度、压力和水分含量分布。
2009年03期 v.15;No.110 143-148页 [查看摘要][在线阅读][下载 220K] [引用频次：4 ] |[阅读次数：0 ] |[网刊下载次数：0 ] |[下载次数：278 ] - 于斌;何俊;刘志栋;靳庆臣;陈威;王祥龙;
在Nb521铌合金表面采用料浆烧结法制备硅化物涂层,利用高频扫描电子束对硅化物涂层进行重熔处理,通过扫描电子显微镜对处理样品表面形貌进行组织结构分析。研究表明,经过电子束重熔处理,硅化物涂层表面陶瓷晶粒粒度降低,表面粗糙度降低,陶瓷颗粒之间烧结作用增强,重熔区域与未处理区域具有明显的边界,电子束能量分布较均匀。电子束重熔增强了陶瓷涂层的烧结作用,涂层致密度增加,硅化物层的抗氧化性能和抗热震性能提高。
2009年03期 v.15;No.110 149-152页 [查看摘要][在线阅读][下载 180K] [引用频次：12 ] |[阅读次数：0 ] |[网刊下载次数：0 ] |[下载次数：170 ] - 王毅;尹文艳;张建可;冀勇夫;
利用稳态卡计法设计了一种测试材料半球发射率的试验装置,并对其进行了不确定度分析。使用该装置对二次表面镜(OSR)的室温半球发射率进行了测试,测试结果不确定度小于2.00%。同时,使用该装置测试了OSR与一种新型相变材料在190～350 K间的半球发射率。
2009年03期 v.15;No.110 153-155页 [查看摘要][在线阅读][下载 151K] [引用频次：4 ] |[阅读次数：0 ] |[网刊下载次数：0 ] |[下载次数：277 ] - 王晓燕;翟秀静;张廷安;符岩;郑双;
在-100~100℃范围内试验测量并分析了不同温度下硅片力学性能及热膨胀系数的变化规律。结果表明:随温度升高硅片由完全弹性变形转变为弹塑性变形,温度越高,塑性变形出现越早,其比例也随温度升高而增大;当材料表现为完全弹性变形时,弹性模量随温度升高而增加,抗拉强度则随之降低;当材料表现为弹塑性变形时,弹性模量随温度升高而降低,抗拉强度随温度升高而升高,且产生塑性变形所需外加载荷随温度升高而降低;硅片热膨胀系数则随温度升高而增加,较低温度时热膨胀系数增加很快,而较高温度下热膨胀系数逐渐趋于平缓。
2009年03期 v.15;No.110 156-159页 [查看摘要][在线阅读][下载 211K] [引用频次：18 ] |[阅读次数：0 ] |[网刊下载次数：0 ] |[下载次数：769 ] - 黄宏;王丽红;陈联;葛瑞宏;孙冬花;
漏率是低温绝热压力容器的主要技术指标之一。准确测量漏率值是产品绝热性、可靠性和安全性评估的重要手段。从辅助真空系统设计、检漏系统有效最小可检漏率的分析、检漏仪连接位置和示漏气体的反应时间等几个方面对低温绝热压力容器检漏系统进行了论述与分析。
2009年03期 v.15;No.110 160-164页 [查看摘要][在线阅读][下载 177K] [引用频次：7 ] |[阅读次数：0 ] |[网刊下载次数：0 ] |[下载次数：225 ] - 温永刚;王先荣;陈光奇;陈叔平;
真空绝热板(VIP)具有10倍于传统绝热材料的优异绝热性能。对VIP有效导热系数进行了分析,表明影响VIP绝热性能主要是固体导热和辐射传热,而气体导热和对流换热可忽略不计。影响VIP整体绝热性能的因素主要有温度、气体压力、含湿率、芯材密度及芯材颗粒度等参数。
2009年03期 v.15;No.110 165-169+184页 [查看摘要][在线阅读][下载 277K] [引用频次：12 ] |[阅读次数：0 ] |[网刊下载次数：0 ] |[下载次数：292 ] - 陈达新;常天海;秦晓刚;
通过电子枪的优化、智能测试电路以及测量方法的选择,成功设计了一种新型的空间材料二次电子发射特性的测试系统。该系统运用可编程控制器PLC与组态王6.52作为开发平台,并结合电子控制和通信技术,实现真空获取、电子枪脉冲调制、各种电源启闭等的多线程控制以及数据的高速采集与实时处理,提高了系统的智能控制能力与实时监测能力。
2009年03期 v.15;No.110 170-173+184页 [查看摘要][在线阅读][下载 216K] [引用频次：4 ] |[阅读次数：0 ] |[网刊下载次数：0 ] |[下载次数：164 ] - 金桂;黄小益;蒋纯志;
采用磁控射频溅射法制备了氧化硅(SiO)x薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜电击穿场强的影响。结果表明:薄膜的主要成分是氧化硅(SiO)x;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增加后减小,在400 W左右时最大;薄膜的电击穿概率与衬底的选择有关,在单面抛光的单晶硅片与在不锈钢衬底上制备的氧化硅相比电击穿场强高且概率集中。
2009年03期 v.15;No.110 174-177+184页 [查看摘要][在线阅读][下载 337K] [引用频次：4 ] |[阅读次数：0 ] |[网刊下载次数：0 ] |[下载次数：248 ]