- 高科;沈光宇;罗一凡;张蕾;宋琳琳;范藤辉;步绍宁;翁子航;翁伟嘉;武俊伟;
复合铜集流体通过“铜膜-高分子支撑层-铜膜”三层结构设计,以轻量化(铜用量减少50%以上)显著提升锂离子电池能量密度,以纵向断裂与横向绝缘特性可阻断热失控蔓延,同步解决能量密度与安全性间的矛盾,在新能源市场领域具有重要应用价值。其制造工艺分为三类路径:一步法(全干法,以磁控溅射设备升级为迭代方向,设备投资大)、二步法(磁控溅射-电化学镀,当前产业化主流)、三步法(磁控溅射-真空蒸镀-电化学镀,蒸镀提高铜层完整性,但高温易损伤基膜)。核心制造工艺为磁控溅射镀膜,通常采用卷对卷镀膜方式。复合铜集流体支撑层研究聚焦PP基膜(成本低、耐电解液腐蚀、断裂伸长率高),但其非极性表面导致PP/Cu界面结合力不足。改性方案分两类:表面原位改性(等离子体刻蚀和化学刻蚀,通过增加粗糙度和引入极性官能团强化机械互锁,但存在时效性衰退和基膜损伤风险);涂层功能修饰(如TA-APTES纳米球和PDA涂层,通过C=O和N-H与铜配位实现化学键合,更具潜力)。复合铜集流体产业化需解决界面强化和工艺效率问题,未来研究应整合材料创新(如功能涂层)与设备升级,推动其规模化应用。
2026年01期 v.32;No.200 1-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 1988K] [引用频次:0 ] |[阅读次数:6 ] |[网刊下载次数:0 ] |[下载次数:244 ] - 苏玉磊;陈建徽;黄倩;胡志勇;张振;丁怀况;章学华;
针对真空环境下激光与材料相互作用研究的光学平台对观测环境高稳定性的需求,提出一种基于非圆形截面容器设计理论的立方形真空容器设计方案。依据GB/T 150.3—2024进行结构设计,并通过三维有限元仿真验证,系统解析外压载荷下拐角区域的三维不连续应力传递机制。采用亚克力-金属复合观察窗设计,结合材料蠕变特性与密封界面变形协调准则进行参数优化。通过多壁厚方案的成本评估,揭示成本非线性增长对制造成本的影响;针对拐角应力集中现象,基于疲劳评估准则提出局部强化策略。该设计成功应用于激光驱动真空实验平台,为特种光学观测设备提供了兼具结构稳定性、经济性与功能匹配性的设计范式。
2026年01期 v.32;No.200 17-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 1128K] [引用频次:0 ] |[阅读次数:5 ] |[网刊下载次数:0 ] |[下载次数:39 ] - 宋云见;李博文;张子凡;张虎忠;贾文杰;李玉成;李得天;
在半导体制造及空间环境模拟等工业及科研领域中,需采用磁悬浮转子真空计对Ar、Kr、Xe等具有较大分子质量与黏滞系数的惰性气体进行高精度真空压力测量。本研究基于静态膨胀法,对三种不同型号的磁悬浮转子真空计在三种惰性气体环境下的实际切向动量传递系数σ_(eff)进行了实验校准,并对测量结果的稳定性进行了分析,对不确定度进行了评定。结果表明,1×10~(-4)~1 Pa压力范围内,SRG-2CE对Kr测量结果的稳定性最好,σ_(eff)偏差范围为-0.92%~1.68%;三种不同型号的SRG对Ar、Kr、Xe的σ_(eff)校准结果分别为0.992、0.984、0.999;不确定度主要来源于前级压力测量、容积比标定及磁悬浮转子真空计自身测量偏差,高真空范围内相对合成标准不确定度变化范围为3.31%~0.77%。
2026年01期 v.32;No.200 25-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 1040K] [引用频次:0 ] |[阅读次数:5 ] |[网刊下载次数:0 ] |[下载次数:30 ] - 刘金生;莫言;凌波;张兵;陈星;
设计了一种复合型综合真空校准装置,并对其性能进行了系统测试和分析。该装置由多个真空校准室、流导元件、管路系统、供气系统以及真空获得系统组成,覆盖1×10~(-8)~1×10~5 Pa的宽真空压力校准范围。装置采用模块化设计,根据不同真空压力区间的特点,分别采用了静态比较法、动态比较法和动态流量法三种校准方法,以满足不同真空计的校准需求。测试中使用了多种类型的真空计进行测试校准,对各个压力校准区间的测量不确定度进行了评定和计算,并且通过传递比较法验证了其在多个校准点上的准确性和一致性。研究结果为宽范围真空校准技术提供了一种高效、高精度的解决方案,可为真空校准技术的研究和应用提供技术支持。
2026年01期 v.32;No.200 31-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1015K] [引用频次:0 ] |[阅读次数:5 ] |[网刊下载次数:0 ] |[下载次数:15 ] - 王维海;徐伟;冯子楠;耿成龙;李佳乐;侯志宇;
靶作为紧凑型氘氘中子发生器的核心组件,其储氘性能对装置的中子产额与稳态运行具有决定性影响。为防止氘粒子向靶衬底扩散导致靶材中氘富集度下降,引入阻氘涂层是一种有效的技术途径。该研究围绕氧化铝阻氘涂层在中子发生器靶中的应用展开,重点从涂层制备工艺、表面形貌表征、阻氘性能及中子产额四个方面进行分析。在涂层制备方面,为保障涂层的结构致密性,采用磁控溅射技术在无氧铜靶衬底表面沉积厚度为1μm的纯铝层,随后通过空气中自然氧化的方式使其转化为氧化铝涂层。利用扫描电子显微镜对涂层进行表面与截面形貌分析,结果显示:尽管表面存在微小缝隙,但其截面呈现出均匀致密的微观结构。进一步在气体驱动渗透实验平台上开展不同温度下的氘渗透行为研究,结果表明:该氧化铝涂层在750 K、850 K与950 K温度条件下,其阻氘下降因子(PRF)分别达到145、153与138,显示出良好的高温阻氘稳定性。在中子发生器靶中的实际应用测试表明:在氘离子束能量为60 kV、束流强度为4.82 mA的辐照条件下,未覆盖阻氘层时的中子计数总额为24 255,覆盖后提升至28 335,中子计数增幅约达17%,验证了该氧化铝阻氘层在提升中子发生器性能方面的有效性与工程应用潜力。
2026年01期 v.32;No.200 38-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 1041K] [引用频次:0 ] |[阅读次数:6 ] |[网刊下载次数:0 ] |[下载次数:28 ] - 袁祖浩;王建青;成东明;王佳方;李明;李勇;
根据高精度光学制造的需求,成功研制出聚焦型射频离子源,突破了国内相关技术瓶颈。通过电磁场仿真优化线圈结构与磁场配置,采用5匝线圈与12根铝镍钴磁棒组成的环形永磁组件,显著提升等离子体密度与均匀性。基于分层架构与MVVM模式开发的控制系统,集成四大功能模块,实现工艺过程的稳定闭环控制。实验结果表明:离子源束径均值为8.37 mm,满足≤Φ10 mm设计要求;8 h连续运行中体积去除率波动仅为0.33%,远优于≤5%的指标要求,平均体积去除率达9.40×10~(-3) mm~3/min,显著超过基准值。在高真空环境下,系统能稳定制备重复性良好的去除函数斑点,充分验证了其优异的长时运行稳定性与加工一致性。研究结果为高精度、高效率光学元件加工提供了可靠技术支撑,具有重要工程应用价值。
2026年01期 v.32;No.200 44-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 1656K] [引用频次:0 ] |[阅读次数:5 ] |[网刊下载次数:0 ] |[下载次数:87 ]